Infineon gewinnt Patentstreit um Galliumnitrid gegen chinesischen Hersteller
Mia Koch
Infineon gewinnt Patentstreit um Galliumnitrid gegen chinesischen Hersteller
Infineon Technologies erringt juristischen Sieg in Deutschland um Galliumnitrid-Patente
Das Landgericht München hat in zwei Verfahren gegen den chinesischen Hersteller Innoscience zugunsten von Infineon Technologies entschieden. Das Gericht stellte fest, dass Innoscience gegen die geistigen Eigentumsrechte von Infineon im Bereich der Galliumnitrid-Technologie (GaN) verstoßen hat.
Das Urteil bedeutet die dritte und vierte juristische Niederlage für Innoscience in Streitigkeiten um Infineons GaN-Patente. Das Gericht untersagte dem Unternehmen, weitere patentverletzende Produkte in Deutschland herzustellen, zu verkaufen oder zu vermarkten. Zudem wurde Innoscience zur Zahlung von Schadensersatz an Infineon verurteilt.
Galliumnitrid ist entscheidend für hochleistungsfähige und energieeffiziente Stromsysteme in zahlreichen Branchen. Infineon verfügt über eines der umfangreichsten GaN-Patentportfolios mit rund 450 Patentfamilien. Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der GaN-Sparten bei Infineon, betonte, die Entscheidung unterstreiche die Stärke des Unternehmens im GaN-Bereich sowie dessen Engagement für den Schutz geistigen Eigentums und faire Wettbewerbsbedingungen.
Cashback bei deinen
Lieblingsrestaurants und Services
Kaufe Gutscheine und spare in deinen Lieblingsorten in deiner Nähe
Die Gerichtsentscheidung festigt Infineons Position auf dem GaN-Markt. Innoscience muss nun das Verbot patentverletzender Produkte einhalten und Infineon entschädigen. Das Urteil untermauert die Bedeutung der Verteidigung von Innovation in der Halbleitertechnologie.
